ON Semiconductor Czech Republic, s.r.o.

Investor: ON Semiconductor Czech Republic, s.r.o.
Místo stavby: 1. máje 2230, Rožnov p. R.
Rozsah prací: projektová dokumentace
realizace stavby, inženýrská činnost
Zpracování PD: 11 – 12/2013
Realizace stavby: 11/2013 – 02/2014

 

Vypracování projektové dokumentace pro provádění stavby a inženýrská činnost.

Kompletní realizace stavby, včetně dodávky čistých prostor a jejich ošetření technikou prostředí.

Pro instalaci technologie GAN I byly vybudovány čisté prostory, vč. personální propusti a servisní místnosti pro technologická zařízení. VZT jednotka byla umístěna ve vazníkovém prostoru. Zařízení předúpravy čerstvého vzduchu bylo navrženo s výkonovou rezervou pro instalaci druhé linky GAN.

Byly vybudovány čisté prostory třídy čistoty ISO 6 – ISO 8 (dle ISO 14644–1) o celkové ploše 140 m². Z toho čisté prostory třídy čistoty ISO 6 (dle ISO 14644–1): 69 m², třídy čistoty ISO 7 (dle ISO 14644–1): 21 m².

Realizace stavby probíhala bez přerušení výroby investora.